SiC(碳化硅)MOSFET

  

击穿电压 产品型号 封装 RDS(ON) (mΩ@25℃) 额定电流 总功耗  最高结温 世代 车规认证 规格书
(V) (@25℃) (W)
1200 JPM120020B4 TO-247-4L 20 96   175℃ 第二代 -  
JPM120020B3 TO-247-3L 20 96   175℃ 第二代 -  
JPM120040B3 TO-247-3L 40 58   175℃ 第二代 -  
JPM120040B4 TO-247-4L 40 58   175℃ 第二代 -

JPM120080B3 TO-247-3L 80 30   175℃ 第二代 -

JPM120080B4 TO-247-4L 80 30   175℃ 第二代 -

JPM120080C7 TO-263-3L 80 30   175℃ 第二代